|
Vergleich mit LTUHV-AFM
Die statische Simulation kann mit einem realen LTUHV-AFM
(Low Temperature Ultra High Vacuum - Atomic Force Microscope)
bei Temperaturen nahe dem absoluten Nullpunkt verglichen werden:
Es gibt bei beiden weder Gitterschwingungen noch Oberflächenkontaminationen (idealerweise).
Der grosse Unterschied ist aber, dass ein reales AFM bei horizontalen scans die Höhe der Spitze so
variiert wird, dass die Kraft konstant bleibt, während bei der Simulation die Höhe der Spitze konstant
gehalten wird und dabei die Kraft auf die Spitze gemessen wird.
Prinzipiell kann dies auch in der Simulation gemacht werden. Es muss hierzu aber bei jeder Position
die Höhe der Spitze variiert werden, bis die resultierende Kraft gleich der vorgegebenen ist. Die
Zahl der notwendigen Relaxationen wird dadurch aber vervielfacht. Bei einem aktuellen 3GHz-PC würde dies
zu Performance-Problemen führen (ein "normaler" scan kann bereits mehrere Tage Rechenzeit beanspruchen).
Somit wäre es sogar sinnvoller, mit einzelnen scans in konstanter Höhe den Potentialverlauf über der Probe
räumlich darzustellen. Aus dem Potentialverlauf könnte dann leicht der Verlauf der Linien mit konstanter
Kraft rechnerisch ermittelt werden.
Dies wurde in den vorliegenden Simulationen nicht getan, alle horizontalen scans fanden in konstanter Höhe statt.
|